TY - GEN Y1 - 2013/// ID - heidok14848 AV - public TI - Infrarotspektroskopische Untersuchung der p-Dotierung organischer Halbleiter mit Übergangsmetalloxiden N2 - In dieser Arbeit wurde das p-Dotieren der ambipolaren organischen Halbleiter 4,4?-Bis(N-carbazolyl)-1,1?-biphenyl (CBP) und N,N?-bis-(1-naphthyl)-N,N?-diphenyl-1,1?-biphenyl-4,4?-diamine (?-NPD) mit den Übergangsmetalloxiden MoO3 sowie WO3 mittels Infrarotspektroskopie untersucht. Dotierte Schichten wurden durch Co-Verdampfen im Ultrahochvakuum präpariert und in-situ in Transmissionsgeometrie vermessen. In den Schwingungsspektren der dotierten Schichten bestehend aus CBP:MoO3 entstehen zusätzliche Absorptionsbanden. Durch den Vergleich mit quantenchemisch berechneten Spektren konnten diese den Schwingungsmoden des CBP-Kations, das durch Ladungstransfer von CBP auf MoO3 entsteht, zugeordnet werden. Das Auftreten einer breiten elektronischen Anregung im nahen Infrarotbereich weist darauf hin, dass die CBP-Kationen überwiegend in Form von gebundenen Ladungstransferkomplexen vorliegen. Über die Intensitätsabnahme der Absorptionsbanden der neutralen CBP-Moleküle in den Spektren der dotierten Schichten wurde die Anzahl der CBP-Kationen bestimmt. Die Agglomeration von MoO3 in CBP reduziert die Grenzfläche zwischen den beiden Materialien, und damit auch die Anzahl der CBP-Kationen. Es wurde gezeigt, dass durch Kühlung des Substrats während des Aufdampfprozesses diese Agglomeration verringert und die Anzahl der CBP-Kationen erhöht wird. In den Systemen ?-NPD:MoO3 und CBP:WO3 konnte ebenfalls die Ausbildung von Ladungstransferkomplexen nachgewiesen werden. UR - https://archiv.ub.uni-heidelberg.de/volltextserver/14848/ A1 - Glaser, Tobias ER -